键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器

在硅基上成功地制备出了1．55μm InP-InGaAsP量子阱激光器．设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料，通过直接键合技术，将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起．剥离去掉InP衬底后，在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器．室温下，阈值电流160mA（电流密度为2．7kA／cm^2），功率可达10mW以上（在约350mA电流下），实现了1．55μm长波长边发射激光器与Si的集成．目前，该结果国际上还未见报道．

在硅基上成功地制备出了1．55μm InP-InGaAsP量子阱激光器．设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料，通过直接键合技术，将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起．剥离去掉InP衬底后，在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器．室温下，阈值电流160mA（电流密度为2．7kA／cm^2），功率可达10mW以上（在约350mA电流下），实现了1．55μm长波长边发射激光器与Si的集成．目前，该结果国际上还未见报道．

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:03:05导入数据到SEMI-IR的IR

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国家高技术研究发展计划资助项目

中国科学院半导体研究所

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