InP/Si键合界面热应力分析
| Data(s) |
2006
|
|---|---|
| Resumo |
从理论上分析了键合热应力产生的原因,在此基础上,采用双层条状金属热应力模型讨论InP/Si键合过程中应力的大小及分布情况.结果表明, 由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,同时InP/Si键合合适的退火温度应该在250～300 ℃.最后在300 ℃退火条件下很好地实现了InP/Si键合,界面几乎没有气泡,有效键合面积超过90%. 从理论上分析了键合热应力产生的原因,在此基础上,采用双层条状金属热应力模型讨论InP/Si键合过程中应力的大小及分布情况.结果表明, 由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,同时InP/Si键合合适的退火温度应该在250～300 ℃.最后在300 ℃退火条件下很好地实现了InP/Si键合,界面几乎没有气泡,有效键合面积超过90%. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:03:02导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4273.pdf: 453693 bytes, checksum: 4320b30dc89dbb3572f179d218839480 (MD5) Previous issue date: 2006 中国科学院半导体研究所,集成技术中心 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘志强;王良臣;于丽娟;郭金霞;伊晓燕;马龙;王立彬;陈宇.InP/Si键合界面热应力分析,半导体光电,2006,27(4):429-433 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
