基于RTD与CMOS的新型数字电路设计
Data(s) |
2006
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Resumo |
纳米电子器件RTD与CMOS电路结合,这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点,而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性方面都得到了不同程度的改善和提高。文中对数字电路中比较典型的可编程逻辑门、全加器电路进行了设计与模拟,并在此基础上对4*4阵列纳米流水线乘法器进行了结构设计。同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下实现相应电路的可行性。 纳米电子器件RTD与CMOS电路结合,这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点,而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性方面都得到了不同程度的改善和提高。文中对数字电路中比较典型的可编程逻辑门、全加器电路进行了设计与模拟,并在此基础上对4*4阵列纳米流水线乘法器进行了结构设计。同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下实现相应电路的可行性。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:03:00导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4270.pdf: 405145 bytes, checksum: bb48157faeaa76cd89a8fc4da0d73ad7 (MD5) Previous issue date: 2006 国家高技术研究发展计划资助 中国科学院半导体研究所半导体集成技术研究中心 国家高技术研究发展计划资助 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
马龙;王良臣;黄应龙;杨富华.基于RTD与CMOS的新型数字电路设计,固体电子学研究与进展,2006,26(3):295-299 |
Palavras-Chave | #微电子学 |
Tipo |
期刊论文 |