离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究
| Data(s) |
2006
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|---|---|
| Resumo |
采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si／Ge多层膜。通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si／Ge多层膜样品。通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析（AFM）等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流（10mA）、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si／Ge多层膜。通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能。 采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si／Ge多层膜。通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si／Ge多层膜样品。通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析（AFM）等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流（10mA）、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si／Ge多层膜。通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:03:00导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4269.pdf: 304570 bytes, checksum: c0ab3b0e476badee5922f0c31ea09260 (MD5) Previous issue date: 2006 云南省自然科学基金资助项目 云南大学材料科学与工程系;中国科学院半导体研究所 云南省自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘焕林;郝瑞亭;杨宇.离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究,人工晶体学报,2006,35(2):280-284 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
