GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究
| Data(s) |
2006
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|---|---|
| Resumo |
理论分析了两种阻尼条件下重掺杂GaAs中的等离子体激元-LO声子耦合模，证实在小阻尼条件下耦合模的拉曼谱分为两支，而在大阻尼条件下只有一个耦合模可以被观测到。推导得到了只出现一个耦合模所需的最小阻尼的解析表达式。测量了Mn组分从2．6％到9％的GaMnAs合金的拉曼光谱。利用等离子体激元-LO声子耦合模理论进行了谱形拟合，得到了所测的GaMnAs合金中的空穴浓度。 理论分析了两种阻尼条件下重掺杂GaAs中的等离子体激元-LO声子耦合模，证实在小阻尼条件下耦合模的拉曼谱分为两支，而在大阻尼条件下只有一个耦合模可以被观测到。推导得到了只出现一个耦合模所需的最小阻尼的解析表达式。测量了Mn组分从2．6％到9％的GaMnAs合金的拉曼光谱。利用等离子体激元-LO声子耦合模理论进行了谱形拟合，得到了所测的GaMnAs合金中的空穴浓度。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:03:00导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4267.pdf: 400008 bytes, checksum: 278935e8ce820fbea4ebc8768caf2ef8 (MD5) Previous issue date: 2006 国家自然科学基金资助项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李国华;马宝珊;王文杰;苏付海;丁琨;赵建华;邓加军;蒋春萍.GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究,光散射学报,2006,18(2):106-114 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
