长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备
| Data(s) |
2006
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|---|---|
| Resumo |
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术，得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱，加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA)，输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃，1.74μm激光器的特征温度T0=57K，和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当. 采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术，得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱，加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA)，输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃，1.74μm激光器的特征温度T0=57K，和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:58导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4261.pdf: 366151 bytes, checksum: 6d89df609c74da7fa95d3acda34ab7a5 (MD5) Previous issue date: 2006 国家自然科学基金资助的课题 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心 国家自然科学基金资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
潘教青;赵谦;朱洪亮;赵玲娟;丁颖;王宝军;周帆;王鲁峰;王圩.长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备,物理学报,2006,55(10):5216-5220 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
