ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响
Data(s) |
2006
|
---|---|
Resumo |
利用X射线衍射技术、荧光光谱、霍尔效应和光学显微等方法分别研究了ZnO单晶的品格完整性、深能级缺陷、电学性质、位错和生长极性.通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果,分析了材料的缺陷属性和缺陷对材料性质、晶体完整性的影响. 利用X射线衍射技术、荧光光谱、霍尔效应和光学显微等方法分别研究了ZnO单晶的品格完整性、深能级缺陷、电学性质、位错和生长极性.通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果,分析了材料的缺陷属性和缺陷对材料性质、晶体完整性的影响. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:57导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4256.pdf: 398687 bytes, checksum: c7076fc5f0d4bc817d87630c6f362cc2 (MD5) Previous issue date: 2006 中国科学院半导体研究所 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
魏学成;赵有文;董志远;李晋闽.ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响,半导体学报,2006,27(10):1759-1762 |
Palavras-Chave | #半导体材料 |
Tipo |
期刊论文 |