ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响


Autoria(s): 魏学成; 赵有文; 董志远; 李晋闽
Data(s)

2006

Resumo

利用X射线衍射技术、荧光光谱、霍尔效应和光学显微等方法分别研究了ZnO单晶的品格完整性、深能级缺陷、电学性质、位错和生长极性.通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果,分析了材料的缺陷属性和缺陷对材料性质、晶体完整性的影响.

利用X射线衍射技术、荧光光谱、霍尔效应和光学显微等方法分别研究了ZnO单晶的品格完整性、深能级缺陷、电学性质、位错和生长极性.通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果,分析了材料的缺陷属性和缺陷对材料性质、晶体完整性的影响.

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:02:57导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4256.pdf: 398687 bytes, checksum: c7076fc5f0d4bc817d87630c6f362cc2 (MD5) Previous issue date: 2006

中国科学院半导体研究所

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16605

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/102940

Idioma(s)

中文

Fonte

魏学成;赵有文;董志远;李晋闽.ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响,半导体学报,2006,27(10):1759-1762

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文