780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器
| Data(s) |
2006
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|---|---|
| Resumo |
采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
曹玉莲;廉鹏;王青;吴旭明;何国荣;曹青;宋国峰;陈良惠.780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器,半导体学报,2006,27(9):1621-1624 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
