高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法
| Data(s) |
2006
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| Resumo |
结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形. 结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:54导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4249.pdf: 1238573 bytes, checksum: ea6d2bd3511d1105afed225468a08c1f (MD5) Previous issue date: 2006 国家自然科学基金资助项目 中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所,半导体集成技术工程研究中心 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杜伟;许兴胜;韩伟华;王春霞;张杨;杨富华;陈弘达.高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法,半导体学报,2006,27(9):1640-1644 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
