低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究
| Data(s) |
2006
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| Resumo |
采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜,实现了半导体抽运Nd:YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2 W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15 ns,最大单脉冲能量为4.84 μJ,最高峰值功率为330 W,最大平均输出功率为1.16 W;脉冲重复频率在220 kHz到360 kHz之间. 山东省科技厅科技攻关计划资助 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
姜其畅;卓壮;王勇刚;李健;苏艳丽;马骁宇;张志刚;王清月.低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究,光子学报,2006,35(8):1133-1136 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
