InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析
| Data(s) |
2006
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|---|---|
| Resumo |
利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）中沟道厚度对沟道中二维电子气（2DEG）性质的影响,并对产生这种影响的原因进行了深入探讨.计算结果表明,当沟道层厚度从10nm增加到40nm时,沟道中2DEG的密度几乎没有变化,但激发态和基态上的电子密度之比（R）先增加后减小.当沟道层厚度在20-25nm之间时,R达到最大.此结果可作为优化器件结构设计的依据. 利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）中沟道厚度对沟道中二维电子气（2DEG）性质的影响,并对产生这种影响的原因进行了深入探讨.计算结果表明,当沟道层厚度从10nm增加到40nm时,沟道中2DEG的密度几乎没有变化,但激发态和基态上的电子密度之比（R）先增加后减小.当沟道层厚度在20-25nm之间时,R达到最大.此结果可作为优化器件结构设计的依据. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:46导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4224.pdf: 466347 bytes, checksum: 26ed69d00e18057d429701a8fc0f9c1c (MD5) Previous issue date: 2006 中国科学院半导体研究所材料中心 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李东临;曾一平.InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析,物理学报,2006,55(7):3677-3682 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
