高质量InAs单晶材料的制备及其性质
| Data(s) |
2006
|
|---|---|
| Resumo |
利用液封直拉法（LEC）生长了直径50mm〈100〉和（111〉晶向的InAs单晶．分析研究了n型杂质Sn，S和p型杂质Zn，Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等．利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性．对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析，在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用（EPI—READY）． |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵有文;孙文荣;段满龙;董志远;杨子祥;吕旭如;王应利.高质量InAs单晶材料的制备及其性质,半导体学报,2006,27(8):1391-1395 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
