升华法生长AlN体单晶初探
| Data(s) |
2006
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|---|---|
| Resumo |
研究了高温升华法（PVT）生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm的AlN晶体,最大的晶粒尺寸长10mm、直径5mm.利用X射线粉末衍射分析了几种不同AlN样品的结构和组成.讨论了PVT法生长AlN晶体所涉及的化学热力学过程和现象. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵有文;董志远;魏学成;段满龙;李晋闽.升华法生长AlN体单晶初探,半导体学报,2006,27(7):1241-1245 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
