不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射
| Data(s) |
2006
|
|---|---|
| Resumo |
利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程. 利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:38导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4185.pdf: 363373 bytes, checksum: e2ab8a2c5a12dbe5c97ddbce172b6735 (MD5) Previous issue date: 2006 国家自然科学基金,天津市应用基础研究资助项目 南开大学;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金,天津市应用基础研究资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张冠杰;徐波;陈涌海;姚江宏;林耀望;舒永春;皮彪;邢晓东;刘如彬;舒强;王占国;许京军.不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射,半导体学报,2006,27(6):1012-1015 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
