数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响
| Data(s) |
2006
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|---|---|
| Resumo |
通过数值分析研究了含线性渐变层的Al_(0.9)Ga_(0.1)As/Al_yGa_(1-y)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层厚度与折射率的关系,通过特征矩阵法计算了突变GaAs/Al_(0.9)Ga_(0.1)As DBR和渐变型DBR的反射谱和反射相移,分析了渐变层对DBR反射率和反射相移的影响.对渐变型DBR,要使VCSEL谐振腔满足中心波长相位匹配条件,还需要在DBR靠近谐振腔一侧的最前面增加一定厚度的渐变层,称为相位匹配层.通过计算,我们得到了使VCSEL谐振腔满足相位匹配条件时均匀层和相位匹配层的厚度. 通过数值分析研究了含线性渐变层的Al_(0.9)Ga_(0.1)As/Al_yGa_(1-y)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层厚度与折射率的关系,通过特征矩阵法计算了突变GaAs/Al_(0.9)Ga_(0.1)As DBR和渐变型DBR的反射谱和反射相移,分析了渐变层对DBR反射率和反射相移的影响.对渐变型DBR,要使VCSEL谐振腔满足中心波长相位匹配条件,还需要在DBR靠近谐振腔一侧的最前面增加一定厚度的渐变层,称为相位匹配层.通过计算,我们得到了使VCSEL谐振腔满足相位匹配条件时均匀层和相位匹配层的厚度. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:31导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4167.pdf: 456014 bytes, checksum: 60100b77d02c3036ab6eb571833dd1e7 (MD5) Previous issue date: 2006 国家高技术研究发展计划资助项目 中国科学院半导体研究所 国家高技术研究发展计划资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王小东;吴旭明;王青;曹玉莲;何国荣;谭满清.数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响,半导体学报,2006,27(11):2011-2014 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
