GaAs基上的InAs量子环制备
| Data(s) |
2006
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|---|---|
| Resumo |
在分子束外延系统中,利用3 nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500℃以及As_2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环.这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长InAs自组装量子点时的淀积量.InAs在GaAs表面的扩散以及同时发生的In-Ga互混控制着InAs量子环的形成. 国家重点基础研究专项经费,国家自然科学基金,国家高技术研究与发展项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李凯;叶小玲;金鹏;王占国.GaAs基上的InAs量子环制备,固体电子学研究与进展,2006,26(4):432-435 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
