闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究
| Data(s) |
2006
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|---|---|
| Resumo |
在讨论半导体激光线宽压窄理论的基础上,利用闪耀光栅作为外部反馈元件,介绍了由中心波长为949.6nm、原始线宽为1.2THz的单管半导体激光器构成的反馈外腔,它能够很好的改善半导体激光器的性能.实验得到了中心波长稳定的、单纵模的高质量激光输出,边模抑制比大于30dB,线宽优于1.2MHz (Δλ＜3.6×10~(-6)nm).实验证实了强反馈能够很好地改善外腔半导体激光器的动态特性. 在讨论半导体激光线宽压窄理论的基础上,利用闪耀光栅作为外部反馈元件,介绍了由中心波长为949.6nm、原始线宽为1.2THz的单管半导体激光器构成的反馈外腔,它能够很好的改善半导体激光器的性能.实验得到了中心波长稳定的、单纵模的高质量激光输出,边模抑制比大于30dB,线宽优于1.2MHz (Δλ＜3.6×10~(-6)nm).实验证实了强反馈能够很好地改善外腔半导体激光器的动态特性. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:27导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4152.pdf: 278691 bytes, checksum: 52b64e5b14314e7f27d5de7f72f14859 (MD5) Previous issue date: 2006 中国科学院半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
江鹏飞;周燕;谢福增.闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究,光学技术,2006,32(6):869-870 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
