射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜及其光致发光特性
| Data(s) |
2006
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| Resumo |
采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征了薄膜的结构,组分和成键情况.掺Al在SiO_2中造成氧空位,使薄膜光致发光强度增强,并出现新的发光峰.退火温度对掺Al薄膜的光致发光的峰位和峰强有较大影响. 采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征了薄膜的结构,组分和成键情况.掺Al在SiO_2中造成氧空位,使薄膜光致发光强度增强,并出现新的发光峰.退火温度对掺Al薄膜的光致发光的峰位和峰强有较大影响. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:25导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4149.pdf: 195323 bytes, checksum: c43223d7c227e5187f9dde35f32c6aa7 (MD5) Previous issue date: 2006 国家自然科学基金重点资助项目 华侨大学,信息科学与工程学院;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金重点资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郭亨群;杨琳琳;王启明.射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜及其光致发光特性,功能材料,2006,37(11):1706-1708 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
