MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试
| Data(s) |
2006
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| Resumo |
设计了一种新型的与MS/RF CMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟.采用TSMC 0.18 μm MS/RF CMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试.模拟和测试结果均表明,该探测器与常规双光电探测器相比,具有较低的暗电流和较高的响应度. 设计了一种新型的与MS/RF CMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟.采用TSMC 0.18 μm MS/RF CMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试.模拟和测试结果均表明,该探测器与常规双光电探测器相比,具有较低的暗电流和较高的响应度. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:23导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4142.pdf: 739304 bytes, checksum: bb9a2ff0198c667d9e55de0d62d98ce8 (MD5) Previous issue date: 2006 国家"863"计划资助项目,国家自然科学基金 天津大学电子信息工程学院;中国科学院半导体研究所 国家"863"计划资助项目,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
雷晓荃;毛陆虹;陈弘达;黄家乐.MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试,光电子·激光,2006,17(12):1413-1417 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
