PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究
| Data(s) |
2006
|
|---|---|
| Resumo |
用PLD方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜.在薄膜的沉积过程中,用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪(RHEED)对薄膜的生长进行了原位监测.结合薄膜的X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱(PL)分析,发现达到或者超过650C时生长的薄膜,结构和光学特性得到了显著的改善. 用PLD方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜.在薄膜的沉积过程中,用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪(RHEED)对薄膜的生长进行了原位监测.结合薄膜的X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱(PL)分析,发现达到或者超过650C时生长的薄膜,结构和光学特性得到了显著的改善. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:22导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4139.pdf: 307013 bytes, checksum: f3573be8b82773ba01e0bb482195df1f (MD5) Previous issue date: 2006 国家自然科学基金资助项目,辽宁省科学技术基金资助项目 大连理工大学;中国科学院,半导体研究所 国家自然科学基金资助项目,辽宁省科学技术基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王兆阳;胡礼中;赵杰;孙捷;王志俊.PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究,哈尔滨工业大学学报,2006,38(10):1766-1768 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
