磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备
| Data(s) |
2006
|
|---|---|
| Resumo |
分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了"开盒即用(EPI-READY)"、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片. 分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了"开盒即用(EPI-READY)"、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:20导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4135.pdf: 1294158 bytes, checksum: 4761ee7aaaa25caa5ef60ba5af5c5cc2 (MD5) Previous issue date: 2006 中国科学院半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵有文;董志远;孙文荣;段满龙;杨子祥;吕旭如.磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备,半导体学报,2006,27(12):2127-2133 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
