nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析
| Data(s) |
2006
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| Resumo |
阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3D FDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上给予分析. 阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3D FDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上给予分析. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:20导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4134.pdf: 548186 bytes, checksum: 7f6ce34842a41c7d1c7774771ec049c3 (MD5) Previous issue date: 2006 国家自然科学基金 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
唐海侠;王启明.nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析,半导体学报,2006,27(12):2139-2143 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
