两种结构GaN基太阳盲紫外探测器
| Data(s) |
2006
|
|---|---|
| Resumo |
分别在金属有机化学汽相沉积（MOCVD）生长的i-Al0.33Ga0.67N／AlN／n-GaN和p-Al0.45Ga0．55N／i—Al0.45Ga0.55N／n＋-Al0.65Ga0.35N的异质结构上，成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。研究结果表明，Au与i—Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结，响应波长从250—290nm，峰值（286nm）响应率约为0．08A／W；PIN型紫外探测器的响应波长从230～275nm，峰值（246nm）响应率约为0．02A／W。 分别在金属有机化学汽相沉积（MOCVD）生长的i-Al0.33Ga0.67N／AlN／n-GaN和p-Al0.45Ga0．55N／i—Al0.45Ga0.55N／n＋-Al0.65Ga0.35N的异质结构上，成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。研究结果表明，Au与i—Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结，响应波长从250—290nm，峰值（286nm）响应率约为0．08A／W；PIN型紫外探测器的响应波长从230～275nm，峰值（246nm）响应率约为0．02A／W。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:09导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4121.pdf: 273014 bytes, checksum: 1b10783537a99922c10a95a81e2ac18c (MD5) Previous issue date: 2006 中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李雪;陈俊;何政;赵德刚;龚海梅;方家熊.两种结构GaN基太阳盲紫外探测器,激光与红外,2006,36(11):1040-1042 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
