双源电子束蒸发提高光学薄膜致密性的工艺研究
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
采用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2得到的混合膜层,折射率不仅可调,而且比Si膜要高.用原子力显微镜(AFM)分别对单纯镀的Si膜与双源电子束蒸发镀的Si/SiO2混合膜层的表面形貌进行了观测,结果表明,前者表面疏松,有明显的孔洞结构;后者膜层表面细密.采用双源蒸发的成膜理论,对该方法提高膜层致密性的原因进行了探讨. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵妙;谭满清;周代兵;吴旭明;王晓东.双源电子束蒸发提高光学薄膜致密性的工艺研究,光电子·激光,2007,18(1):40-42 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
