截止波长12μm的InAs0.04Sb0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
用熔体外延(ME)法在半绝缘(100)GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12 μm的InAs0.04Sb0.96外延层.傅立叶变换红外(FTIR)透射光谱揭示,InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄.通过分析InAs0.04Sb0.96外延层载流子浓度的温度依存性表明,其室温禁带宽度为0.105 5 eV,与透射光谱测得的数值很好地一致.通过测量12～300 K的吸收光谱,研究了InAs0.04Sb0.96/GaAs的禁带宽度的温度依存性.霍尔测量得出300 K下样品的电子迁移率为4.47×104 cm2/Vs,载流子浓度为8.77×1015 cm-3;77 K下电子迁移率为2.15×104 cm2/Vs,载流子浓度为1.57×1015 cm-3;245 K下的峰值迁移率为4.80×104 cm2/Vs. 用熔体外延(ME)法在半绝缘(100)GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12 μm的InAs0.04Sb0.96外延层.傅立叶变换红外(FTIR)透射光谱揭示,InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄.通过分析InAs0.04Sb0.96外延层载流子浓度的温度依存性表明,其室温禁带宽度为0.105 5 eV,与透射光谱测得的数值很好地一致.通过测量12～300 K的吸收光谱,研究了InAs0.04Sb0.96/GaAs的禁带宽度的温度依存性.霍尔测量得出300 K下样品的电子迁移率为4.47×104 cm2/Vs,载流子浓度为8.77×1015 cm-3;77 K下电子迁移率为2.15×104 cm2/Vs,载流子浓度为1.57×1015 cm-3;245 K下的峰值迁移率为4.80×104 cm2/Vs. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:05导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4109.pdf: 200973 bytes, checksum: b1c43004872bc5ec29f31a1766b94bbb (MD5) Previous issue date: 2007 国家自然科学基金资助项目 同济大学电子与信息工程学院;中国科学院半导体研究所;中国科学院上海技术物理研究所 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
高玉竹;龚秀英;陈涌海;吴俊.截止波长12μm的InAs0.04Sb0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究,光电子·激光,2007,18(1):67-70 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
