AlGaN基UV—LED的研究与进展
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注，成为了全球半导体领域研究和投资的新热点。本文综合分析了AlGaN材料的生长、碎裂、掺杂和欧姆接触等问题，对UV—LED的发展历程、技术路线和研究进展进行了详细介绍，并展望了未来发展方向。 近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注，成为了全球半导体领域研究和投资的新热点。本文综合分析了AlGaN材料的生长、碎裂、掺杂和欧姆接触等问题，对UV—LED的发展历程、技术路线和研究进展进行了详细介绍，并展望了未来发展方向。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:59导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4095.pdf: 241656 bytes, checksum: 3c9f32a416bdbab9caaccc03f9644bce (MD5) Previous issue date: 2007 国家863项目支持 中国科学院半导体研究所 国家863项目支持 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
魏同波;王军喜;闫建昌;李晋闽.AlGaN基UV—LED的研究与进展,功能材料与器件学报,2007,13(1):95-100 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
