物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
利用物理气相传输法生长了直径40～50mm、厚约8～10mm的AlN多晶锭，最大晶粒尺寸为5mm,用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性．分析了不同温度下AlN晶体的导电特性，并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0．98eV的深能级缺陷．结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响． |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
董志远;赵有文;魏学成;李晋闽.物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征,半导体学报,2007,28(2):204-208 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
