纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
在850nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器．当小孔尺寸为400nm×400nm时，在25mA驱动电流下，其最大输出光功率达到了0．3mw，功率密度约为2mW／μm~2,文中介绍了纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备工艺，并对它的光谱特性和寿命特性进行了分析。 在850nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器．当小孔尺寸为400nm×400nm时，在25mA驱动电流下，其最大输出光功率达到了0．3mw，功率密度约为2mW／μm~2,文中介绍了纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备工艺，并对它的光谱特性和寿命特性进行了分析。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:57导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4090.pdf: 576416 bytes, checksum: 70d6df52115ce5646d3c8f822da8cecf (MD5) Previous issue date: 2007 国家高技术研究发展计划资助项目,中国科学院知识创新工程 中国科学院半导体研究所 国家高技术研究发展计划资助项目,中国科学院知识创新工程 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
高建霞;宋国峰;甘巧强;徐云;郭宝山;陈良惠.纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性,半导体学报,2007,28(2):265-268 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
