1．3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
结合垂直腔面发射激光器（VCSEL）原理以及量子点增益特点，计算了有源层P掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽，发现P掺杂结构可以大大提高频率特性．结合VCSEL激射条件和阈值特性，分析了对VCSEL结构的要求；分析了分布参数对频率特性的影响，对其外部封装提出了要求．设计了高频率响应的含氧化限制层的1．3μm量子点VCSEL结构． 结合垂直腔面发射激光器（VCSEL）原理以及量子点增益特点，计算了有源层P掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽，发现P掺杂结构可以大大提高频率特性．结合VCSEL激射条件和阈值特性，分析了对VCSEL结构的要求；分析了分布参数对频率特性的影响，对其外部封装提出了要求．设计了高频率响应的含氧化限制层的1．3μm量子点VCSEL结构． 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:55导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4085.pdf: 537981 bytes, checksum: c370a3e327f6e27220bbb60233d9c7cc (MD5) Previous issue date: 2007 国家重点基础研究发展规划,国家重点基金资助项目,国家高技术研究发展计划资助的课题 中国科学院半导体研究所 国家重点基础研究发展规划,国家重点基金资助项目,国家高技术研究发展计划资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
彭红玲;韩勤;杨晓红;牛智川.1．3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计,物理学报,2007,56(2):863-870 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
