InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
利用偏振时间分辨光谱和时间分辨Kerr旋转谱,研究了(GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度为l/3单层的InAs山亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3.4 ns,而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.48 ns;而在共振激发条件下,亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少,只有70ps,单层hLAs中电子自旋寿命没有显著变化.分析表明,低温下InAa单层和亚单层结构中,Bir-Aronov-Pikus(BAP)自旋弛豫机理占主导地位.通过改变材料结构特性和激发条件来改变电子空穴的空间相关性,从而达到控制自旋弛豫的目的. 利用偏振时间分辨光谱和时间分辨Kerr旋转谱,研究了(GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度为l/3单层的InAs山亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3.4 ns,而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.48 ns;而在共振激发条件下,亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少,只有70ps,单层hLAs中电子自旋寿命没有显著变化.分析表明,低温下InAa单层和亚单层结构中,Bir-Aronov-Pikus(BAP)自旋弛豫机理占主导地位.通过改变材料结构特性和激发条件来改变电子空穴的空间相关性,从而达到控制自旋弛豫的目的. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:53导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4078.pdf: 343518 bytes, checksum: b9f61ded7d995813e90fb93a176f2334 (MD5) Previous issue date: 2007 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙征;徐仲英;阮学忠;姬扬;孙宝权;倪海桥.InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究,物理学报,2007,56(5):2958-2961 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
