SOI纳米线波导和相关器件研究进展


Autoria(s): 徐学俊; 余金中; 陈少武
Data(s)

2007

Resumo

SOI纳米线波导具有对光场限制作用强、传输损耗低、弯曲半径小、集成度高、与传统CMOS工艺兼容等优点,采用SOI纳米线波导能够大大缩小光子器件的长度和面积,提高器件工作速度和效率,降低器件功耗.介绍了SOI纳米线波导在模式、损耗、偏振等方面与传统大尺寸硅基波导所表现出来的不同特性,评述了当前关于SOI纳米线波导和基于SOI纳米线波导光子器件的最新研究进展.

国家自然科学基金资助项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16327

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/102202

Idioma(s)

中文

Fonte

徐学俊;余金中;陈少武.SOI纳米线波导和相关器件研究进展,半导体光电,2007,28(1):5-7

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文