SOI纳米线波导和相关器件研究进展
Data(s) |
2007
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Resumo |
SOI纳米线波导具有对光场限制作用强、传输损耗低、弯曲半径小、集成度高、与传统CMOS工艺兼容等优点,采用SOI纳米线波导能够大大缩小光子器件的长度和面积,提高器件工作速度和效率,降低器件功耗.介绍了SOI纳米线波导在模式、损耗、偏振等方面与传统大尺寸硅基波导所表现出来的不同特性,评述了当前关于SOI纳米线波导和基于SOI纳米线波导光子器件的最新研究进展. 国家自然科学基金资助项目 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
徐学俊;余金中;陈少武.SOI纳米线波导和相关器件研究进展,半导体光电,2007,28(1):5-7 |
Palavras-Chave | #光电子学 |
Tipo |
期刊论文 |