稀磁半导体的研究进展
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。 本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:52导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4076.pdf: 4426226 bytes, checksum: d9b16904f61a47aa1c8df9ad769b9634 (MD5) Previous issue date: 2007 国家自然科学基金重点项目,创新群体项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金重点项目,创新群体项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵建华;邓加军;郑厚植.稀磁半导体的研究进展,物理学进展,2007,27(2):109-150 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
