MOCVD生长GaN力学性能研究
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
采用MOCVD技术在蓝宝石衬底（0001）面上生长了GaN外延膜，利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌，利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明，薄膜以二维模式均匀生长，表面平整，硬度达22．1MPa，弹性模量为299．5GPa，与衬底结合紧密，临界载荷达1．6N，与GCr15钢球对磨时摩擦系数仅为0．13，与Si3N4陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿。 国家“863”项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
魏同波;王军喜;李晋闽;刘酷;段瑞飞.MOCVD生长GaN力学性能研究,稀有金属材料与工程,2007,36(3):416-419 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
