磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了变化,即由低磁场下电子的非共振隧穿或跳跃电导向高磁场下电子的共振隧穿的转变. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王志路;孙宝权.磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加,半导体学报,2007,28(4):549-552 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
