高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析
| Data(s) |
2007
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| Resumo |
在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论. 在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:49导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4070.pdf: 526107 bytes, checksum: db9df01c5027f636d377dde9f324ea90 (MD5) Previous issue date: 2007 国家高技术研究发展计划资助项目 中国科学院半导体研究所 国家高技术研究发展计划资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
马龙;张杨;戴扬;杨富华;曾一平;王良臣.高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析,半导体学报,2007,28(4):563-566 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
