硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制
| Data(s) |
2007
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| Resumo |
采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP外延片键合在一起,并制成条宽6μm的脊波导边发射激光器.室温连续工作的1.55μm激光器阈值电流为48mA,对应的阈值电流密度和微分电阻分别为2.13kA/cm~2和5.8Ω,在约220mA时输出光功率达15mW. 国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
于丽娟;赵洪泉;杜云;李敬;黄永箴.硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制,半导体学报,2007,28(7):1117-1120 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
