(Ga,Mn)As光调制反射光谱
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
室温下我们研究了稀磁半导体(Ga,Mn)As 的光调制反射(PR)光谱,观测到来自样品的Franz-Keldysh 振荡(FKO)信号.随着Mn原子浓度的增加,PR 线形展宽,但是临界点E_0和E_0+Δ_0没有明显的移动.根据FKO 振荡数据,计算得到样品表面电场强度随Mn原子掺杂浓度的增加而增强.测量到与Mn 原子掺杂相关的杂质带,其能量位置离GaAs价带边～100 meV.根据样品的表面电场强度和表面耗尽层模型,估算样品的空穴浓度为～10~(17) cm~(-3),较低的空穴浓度可能与样品具有较低的居里温度有关,或测量的PR信号来自于样品中外延层的部分耗尽区域. 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王志路;孙宝权.(Ga,Mn)As光调制反射光谱,发光学报,2007,28(4):557-560 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
