Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
用高能离子注入(160 keV)的方法对InAs/GaAs量子点结构进行掺杂,研究了不同退火工艺处理后量子点的光致发光和电学性能.相对于长时间退火,快速退火处理后的量子点发光通常较强.在相同的退火条件下,量子点发光峰位随着Mn注入剂量的增加,先是往高能量端快速移动,而后发光峰又往低能方向移动.后者可能是由于Mn原子进入InAs量子点,释放了InAs量子点中的应变所致.对于高注入剂量样品和长时间退火样品,变温电阻曲线在40 K附近会出现反常行为. 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
胡良均;陈涌海;叶小玲;王占国.Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究,物理学报,2007,56(8):4930-4935 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
