HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能


Autoria(s): 任丙彦; 刘晓平; 许颖; 王敏花; 廖显伯
Data(s)

2007

Resumo

采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池.分析了薄膜的结构、光电特性.结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10~(-4)Ω·cm、在350~800 nm波段的平均光透过率为87.1%,将其应用于HIT太阳电池上,电池的转换效率可达13.38%.

河北省自然科学基金项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16269

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/102173

Idioma(s)

中文

Fonte

任丙彦;刘晓平;许颖;王敏花;廖显伯.HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能,太阳能学报,2007,28(5):504-507

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文