高速率、低价位、智能化“3C”光网络呼唤Si基化、集成化SOC芯片
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
Si是微电子发展的无可替代基质材料，取之不尽，工艺成熟，立足于Si基材料，发展光网络SOC芯片，是突破上述困扰的重要途径。然而Si属间接带隙，又为立方反演对称的非极性材料，不具优异的天然光学特性。人工改性是突破Si材料本征限制的根本出路，能带工程、纳米工程、局域化工程、光子工程以及声子工程的综合运用，有望实现Si基化全光波长变换器，高速率全光开关乃至Si基激光器，为Si基化、集成化光网络SOC芯片的发展奠定基础，并将开拓出一门崭新的Si基集成光子学。 Si是微电子发展的无可替代基质材料，取之不尽，工艺成熟，立足于Si基材料，发展光网络SOC芯片，是突破上述困扰的重要途径。然而Si属间接带隙，又为立方反演对称的非极性材料，不具优异的天然光学特性。人工改性是突破Si材料本征限制的根本出路，能带工程、纳米工程、局域化工程、光子工程以及声子工程的综合运用，有望实现Si基化全光波长变换器，高速率全光开关乃至Si基激光器，为Si基化、集成化光网络SOC芯片的发展奠定基础，并将开拓出一门崭新的Si基集成光子学。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:37导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4020.pdf: 354295 bytes, checksum: 37e5bd211e2813b2d014c03e335b6b6b (MD5) Previous issue date: 2007 国家自然科学基金资助项目（6 336 1 ）,国家重点基础研究计划资助项目（2 6CB3 28 2） 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金资助项目（6 336 1 ）,国家重点基础研究计划资助项目（2 6CB3 28 2） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王启明.高速率、低价位、智能化“3C”光网络呼唤Si基化、集成化SOC芯片,光电子·激光,2007,18(3):257-262 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
