掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响

采用反应热蒸发法制备掺sn的In_20_3（ITO）透明导电膜，系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响，结果表明，ITO薄膜（400）取向的优先生长对其透过率影响很小，但可明显增加载流子迁移率，从而有效降低了薄膜的方块电阻。在两个相同的薄膜硅／单晶硅太阳能电池上分别沉积（222）和（400）ITO优先取向膜，光电转换效率分别为10．3％和12．9％，表明（400）取向更有利于提高电池效率。经优化，最佳衬底温度（T_s）为225℃，最佳氧流量（fo_2）为4sccm。在优化的沉积条件下制备ITO薄膜，其电阻率可达到4.8x10~(-4)Ω·cm，可见波段的透过率大于90％，性能指数为3.8×10~(-2)□/Ω。

国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助项目