磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
高温退火后掺铁半绝缘(SI)InP单晶转变为n型低阻材料.利用霍尔效应(Hall),热激电流谱(TSC),深能级瞬态谱(DLTS),X射线衍射等方法分别研究了退火前后InP材料的性质和缺陷.结果表明受高温热激发作用部分铁原子由替位转变为填隙,导致InP材料缺少深能级补偿中心而发生导电类型转变.通过比较掺杂、扩散和离子注入过程Fe原子的占位和激活情况分析了这一现象的机理和产生原因. 高温退火后掺铁半绝缘(SI)InP单晶转变为n型低阻材料.利用霍尔效应(Hall),热激电流谱(TSC),深能级瞬态谱(DLTS),X射线衍射等方法分别研究了退火前后InP材料的性质和缺陷.结果表明受高温热激发作用部分铁原子由替位转变为填隙,导致InP材料缺少深能级补偿中心而发生导电类型转变.通过比较掺杂、扩散和离子注入过程Fe原子的占位和激活情况分析了这一现象的机理和产生原因. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:32导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4008.pdf: 403256 bytes, checksum: 316a88cd63efb2ad145f5aec217ed143 (MD5) Previous issue date: 2007 中国科学院半导体研究所;四川大学物理学院应用物理系 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵有文;苗杉杉;董志远;吕小红;邓爱红;杨俊;王博.磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响,物理学报,2007,56(9):5536-5541 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
