160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件.使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术,以及探测器芯片与读出电路互联技术.在77 K时测试,器件的平均峰值探测率D~*_λ=1.28×10~(10) cmW~(-1)Hz~(1/2),峰值波长为λ_p=8.1μm,截止波长为λ_c=8.47μm.器件的非盲元率≥98.8%,不均匀性10%. 国家863计划资助项目(2 2AA3131 ) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
种明;苏艳梅;张艳冰;胡小燕;马文全;孙永伟;陈良惠.160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制,红外与激光工程,2007,36(5):702-704 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
