In_(0.5)Ga_(0.50As/In_(0.5)Al_(0.5)As应变耦合量子点的形貌和光学性质
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
提出了利用分子束外延方法生长In_(0.5)Ga_(0.5)As/In_(0.5)Al_(0.5)As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特点.实验结果表明,随着耦合量子点中的GaAs隔离层厚度从2 nm增加到10 nm,In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的密度增大、均匀性提高,Al原子扩散和浸润层对量子点PL谱的影响被消除,而且InAlAs材料的宽禁带特征使其成为InGaAs量子点红外探测器中的暗电流阻挡层.由此可见,选择合适的GaAs隔离层厚度形成InGaAs/InAlAs应变耦合量子点将有益于InGaAs量子点红外探测器的研究. 中国航天科工集团三院科技创新基金资助项目(HT3Y83582 5 4) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨晓杰;马文全;陈良惠.In_(0.5)Ga_(0.50As/In_(0.5)Al_(0.5)As应变耦合量子点的形貌和光学性质,红外与激光工程,2007,36(5):705-707 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
