用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶


Autoria(s): 胡卫国; 魏鸿源; 焦春美; 康亭亭; 张日清; 刘祥林
Data(s)

2007

Resumo

用金属有机物气相外延在纳米棒ZnO模板上沉积AlN薄膜.SEM测试表明该薄膜形成了一种倾倒纳米棒的表面.而GIXRD测试进一步证实它是纤锌矿结构的AlN,晶粒尺度约为12nm,接近于ZnO纳米棒的直径(30nm).这意味着纳米棒结构的ZnO能限制AlN的横向生长.此外,高温下用H_2刻蚀ZnO直接在生长中实现了外延层的剥离.最终得到了无支撑的AlN纳米晶,完整无破损的区域约为1cm×1cm.定义这个生长机制为"生长-刻蚀-合并"过程.

国家自然科学基金资助项目(批准号:6 5 6 2)

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16207

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/102142

Idioma(s)

中文

Fonte

胡卫国;魏鸿源;焦春美;康亭亭;张日清;刘祥林.用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶,半导体学报,2007,28(10):1508-1512

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文