n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合
| Data(s) |
2007
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| Resumo |
采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李慧;何国荣;渠红伟;石岩;种明;曹玉莲;陈良惠.n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合,半导体学报,2007,28(11):1815-1817 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
