氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O~+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assisted PLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含si成分的厚度不超过18 nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性. 国家高技术研究发展计划资助项目(715 1 162),中国地质大学(北京)科技基金资助项目(2 524) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李庚伟;吴正龙;邵素珍;刘志凯.氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析,材料科学与工艺,2007,15(5):685-688 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
