一种新型2*2 SOI热光开关
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构.深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,有利于自映像质量的提高,从而减少了自映像损耗和不均衡度,同时也提高了制作容差.基于强限制配对干涉耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-11.0 dB,其中包括光纤-波导耦合损耗-4.3 dB,上升和下降开关时间分别为3.5μs和8.8μs. 国家科技部"973"计划资助项目(G2 - 3-66),中央民族大学青年教师科研基金资助项目(CUN 7A) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨笛;余金中;陈少武;陈媛媛.一种新型2*2 SOI热光开关,光电子·激光,2007,18(11):1280-1282 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
