硅基光电子学研究进展与趋势
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
近年来硅基光电子材料和器件受到高度的重视.利用外延生长和键合技术成功研制出硅基应变赝衬底、GexSi1-x/Si量子阱、高密度锗量子点、硅基InGaAsP/Si异质结,这些进展为硅基光电子器件提供了坚实的材料基础.同CMOS工艺相结合,实现了硅量子点1.17 μm的受激发射,研制出硅基Raman激光器、1.55 μm混合型激光器、高灵敏度的Si/Ge探测器、谐振腔增强型的SiGe光电二极管、调制频率30 GHz的SOI CMOS光学调制器和16×16的SOI光开关阵列等.硅光电子学将在光通信、光计算等领域获得重要应用.本文综述了国内外硅基光电子材料和器件的进展、我们的研究结果和硅基光电子学的发展趋势. 科技部"973"项目(No.2 6CB3 28 3和G2 - 3 66),"863"项目(No.22 2AA312 6 ),国家自然科学基金项目(No.NSFC-6 537 1 、6 576 1、6989626 、6 336 1 )资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
余金中.硅基光电子学研究进展与趋势,世界科技研究与发展,2007,29(5):50-56 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
