双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
采用GaAs／AIGaAs和InGaAs／AIGaAs多量子阱，研制出了双色同像素读取结构的中波／长波量子阱红外探测器及160x128元中波／长波双色多量子阱红外探测器芯片。器件的材料结构生长是采用分子束外延技术，在5．08cm半绝缘GaAs衬底上完成的。发展了双色大面阵制备工艺。二维光栅的制备使用标准光刻和离子束刻蚀技术。在77K时，对量子阱红外探测器测试，得到中、长波段峰值探测率分别为Dλ=（1．61-1．90）x10~(10)cmHz~(1/2)W~-1和（1．54-2．67）x10^10cmHz~(1/2)W~-1)。中、长波段峰值波长分别为（2．7-3．8）μm和8．3μm。 国家863计划资助项目（2 2AA3131 ） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
种明;马文全;苏艳梅;张艳冰;胡小燕;陈良惠.双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制,红外与激光工程,2007,36(6):782-784 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
